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薄膜方块电阻测试仪薄膜方块电阻测试仪主要用来测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。它由电气测量部份(简称:主机)、测试架、四探针头及专业测量软件组成。本套仪器的特点是主机配置双数字表,在测量电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的精度)适时监测全程的电流变化,免除了测量电流/测量电阻率的转换,更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。主机配有恒流源开关,在测量某些薄层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,更好地保护箔膜。主机配置了“小游移四探针头”,探针游移率在0.1~0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本套仪器使用专用软件进行数据采集,可实现自动换向测量、存储,求平均值,最大值、最小值、最大百分变化率、平均百分变化率等内容。
用方阻测试仪就可以啦,HPS2526方阻测试仪 ,或者HpS2523都可以
概述在电力系统中,大型地网的接地电阻的测试目前主要采用工频大电流三极法测量。为了防止电网运行时产生的工频干扰,提高测量结果的准确性,绝缘预防性试验规程规定:工频大电流法的试验电流不得小于30安培。由此,就出现了试验设备笨重,试验过程复杂,试验人员工作强度大,试验时间长等诸多问题。 EDWR-II型大型地网接地电阻测试仪,采用了新型信号电源,并采用了微机处理控制和信号处理等措施,很好的解决了测试过程中的抗干扰问题,简化了试验操作过程,提高了测试结果的精度和准确性,大大降低了试验人员的劳动强度和试验成本。晶格电子是做这个的
方块电阻如何测试呢,可不可以用万用表电阻档直接测试图一所示的材料呢?不可以的,因万用表的表笔只能测试点到点之间的电阻,而这个点到点之间的电阻不表示任何意义。如要测试方阻,首先我们需要在A边和B边各压上一个电阻比导电膜电阻小得多的圆铜棒,而且这个圆铜棒光洁度要高,以便和导电膜接触良好。这样我们就可以通过用万用表测试两铜棒之间的电阻来测出导电薄膜材料的方阻。如果方阻值比较小,如在几个欧姆以下,因为存在接触电阻以及万用表本身性能等因素,用万用表测试就会存在读数不稳和测不准的情况。这时就需要用专门的用四端测试的低电阻测试仪器,如毫欧计、微欧仪等。测试方法如下:用四根光洁的圆铜棒压在导电薄膜上,如图二所示。四根铜棒用A、B、C、D表示,它们上面焊有导线接到毫欧计上,我们使BC之间的距离L等于导电薄膜的宽度W,至于AB、CD之间的距离没有要求,一般在10--20mm就可以了,接通毫欧计以后,毫欧计显示的阻值就是材料的方阻值。这种测试方法的优点是:(1)用这种方法毫欧计可以测试到几百毫欧,几十毫欧,甚至更小的方阻值,(2)由于采用四端测试,铜棒和导电膜之间的接触电阻,铜棒到仪器的引线电阻,即使比被测电阻大也不会影响测试精度。(3)测试精度高。由于毫欧计等仪器的精度很高,方阻的测试精度主要由膜宽W和导电棒BC之间的距离L的机械精度决定,由于尺寸比较大,这个机械精度可以做得比较高。在实际操作时,为了提高测试精度和为了测试长条状材料,W和L不一定相等,可以使L比W大很多,此时方阻Rs=Rx*W/L,Rx为毫欧计读数。此方法虽然精度比较高,但比较麻烦,尤其在导电薄膜材料比较大,形状不整齐时,很难测试,这时就需要用专用的四探针探头来测试材料的方阻,如图三所示。探头由四根探针阻成,要求四根探针头部的距离相等。四根探针由四根引联接到方阻测试仪上,当探头压在导电薄膜材料上面时,方阻计就能立即显示出材料的方阻值,具体原理是外端的两根探针产生电流场,内端上两根探针测试电流场在这两个探点上形成的电势。因为方阻越大,产生的电势也越大,因此就可以测出材料的方阻值。需要提出的是虽然都是四端测试,但原理上与图二所示用铜棒测方阻的方法不同。因电流场中仅少部分电流在BC点上产生电压(电势)。所示灵敏度要低得多,比值为1:4.53。
方块电阻与厚度有关。
方块电阻又称膜电阻,是用于间接表征薄膜膜层、玻璃镀膜膜层等样品上的真空镀膜的热红外性能的测量值,该数值大小可直接换算为热红外辐射率。
方块电阻有一个特性,即任意大小的正方形测量值都是一样的,不管边长是1米还是0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
扩展资料:
方块电阻测试方法
1、用这种方法毫欧计可以测试到几百毫欧,几十毫欧,甚至更小的方阻值。
2、由于采用四端测试,铜棒和导电膜之间的接触电阻,铜棒到仪器的引线电阻,即使比被测电阻大也不会影响测试精度。
3、测试精度高。由于毫欧计等仪器的精度很高,方阻的测试精度主要由膜宽W和导电棒BC之间的距离L的机械精度决定,由于尺寸比较大,这个机械精度可以做得比较高。
在实际操作时,为了提高测试精度和为了测试长条状材料,W和L不一定相等,可以使L比W大很多,此时方阻Rs=Rx*W/L,Rx为毫欧计读数。
探头由四根探针阻成,要求四根探针头部的距离相等。四根探针由四根引联接到方阻测试仪上,当探头压在导电薄膜材料上面时,方阻计就能立即显示出材料的方阻值。
具体原理是外端的两根探针产生电流场,内端上两根探针测试电流场在这两个探点上形成的电势。因为方阻越大,产生的电势也越大,因此就可以测出材料的方阻值。
需要提出的是虽然都是四端测试,但原理上与图二所示用铜棒测方阻的方法不同。因电流场中仅少部分电流在BC点上产生电压(电势)。所示灵敏度要低得多,比值为1:4.53。
参考资料来源:百度百科-方块电阻
大多数方块电阻测试仪采用的计算公式是:R=4.532*V/I。其中V是2、3探针的电压;I是1、4探针的电流。
如果仅考虑仪器测准的较准(不考虑仪器的负载能力),最简单的方法:
将1、2探针并联后,与一个1欧姆的精密电阻(或标准电阻)的一端相连;3、4探针并联后,再与精密电阻的另一端相连。这时方块电阻测试仪的测试值=4.532欧姆/方块。
如果将精密电阻换成10欧、100欧、1000欧,则方块电阻分别等于:45.32、453.2、4532欧姆/方块。(以此类推,扩展)
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