「非晶硅薄膜电池」非晶硅薄膜电池性能参数

今天我们来聊聊非晶硅薄膜电池,以下6个关于非晶硅薄膜电池的观点希望能帮助到您找到想要的新能源资讯。

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非晶硅与单晶硅和多晶硅的太阳能电池板区别？各自的优越性等

1、外观区别

单晶硅电池的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；

多晶硅电池的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹；

非晶硅电池也就是我们平时说的薄膜组件，它不像晶硅电池可以看出来栅线，表面就如同镜子一般清晰、光滑；

2、使用上面的区别

对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。

虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：

晶硅组件：单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。

薄膜组件：单块组件功率相对略低。但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。应用环境广泛，美观，环保。

3、制造工艺区别

多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右；

因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保；

非晶硅太阳电池的方法有很多种，包括等离子增强型化学气相沉积，反应溅射法、辉光放电法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。

参考资料来源：百度百科——太阳能电池板

参考资料来源：百度百科——单晶硅太阳能

参考资料来源：百度百科——多晶硅太阳能电池

参考资料来源：百度百科——非晶硅太阳能电池

谁知道非晶硅薄膜电池里面的薄膜是什么意思？具体是怎么产生薄膜的？知道的请说一下！

非晶硅薄膜电池, 顾名思议, 它是将非晶硅以薄膜的形式沉积在载体上形成的太阳能电池, 其薄膜就是非晶硅太阳能电池,即相对于多晶硅太阳能电池, 不过非晶硅电池非常薄. 非晶硅薄膜电池,包含PIN结构, 现在有些电池已经具双结构,或三结构, 即两层PIN结, 或三层PIN结. 下面是非晶硅太阳能电池PIN结沉积方法: 把硅烷(SiH4)等原料气体导入真空度保持在10—1000Pa的反应室中，由于射频(RF)电场的作用,产生辉光放电，原料气体被分解，在玻璃或者不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜材料。此时如果原料气体中混入硅烷(B2H6)即能生成P型非晶硅,混入磷烷(PH3)即能生成N型非晶硅。仅仅用变换原料气体的方法就可生成pin结，做成电池。为了得到重复性好、性能良好的太阳电池，避免反应室内壁和电极上残存的杂质掺入到电池中，一般都利用隔离的连续等离子反应制造装置，即p,i,n各层分别在专用的反应室内沉积。 更详细的解释请参阅我的博客:

hjt电池是什么?

HJT电池又称为异质结电池，它是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，属于N型电池中的一种。

HIT（Heterojunction with Intrinsic Thinfilm）电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT、HDT、或SHJ。

HIT电池的实验室效率达到26%以上，现有主流厂商的平均量产效率达到23%。从效率来看的确比PERC电池要高出一个台阶。HJT电池工艺流程简洁。

目前市场上主流的电池技术PERC需要8-10道工序，而HJT技术只有四道工序，分别为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积，TCO薄膜制备和丝网印刷。其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺，HJT独特的工艺于非晶硅薄膜沉积和TCO膜的沉积。

单晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜电池的原理？

高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。 单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。 在科学技术飞速发展的今天，利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。 直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。 区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。 直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。 硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域，微电子技术的飞速发展，使人类社会进入了信息化时代，被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。 1、制作电力电子器件 电力电子技术是实现电力管理，提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”，大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等，广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件，是区熔单晶硅的传统市场，也是本项目产品的市场基础。 2、制作高效率太阳能光伏电池 太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998—2004年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年，仍将保持至少25%的增长速度。 晶体硅是目前应用最成熟，最广泛的太阳能电池材料，占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术，其产业化规模光电转换效率达到20%，为目前产业化最高水平，其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池（光电转换效率为15%）和多晶硅太阳能电池（光电转换效率为12%）。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计，到2010年，其总的市场规模到将达到电力电子需求规模，这是本项目新的市场机会。 3、制作射频器件和微电子机械系统（MEMS） 区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。 4、制作各种探测器、传感器，远红外窗口 探测器、传感器是工业自动化的关键元器件，被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。 太阳能电池的原理 太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。 太阳能发电方式太阳能发电有两种方式 一种是光—热—电转换方式，另一种是光—电直接转换方式。 太阳能电池的分类 太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式(以下表示为a-)两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。 按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H,a-Si:H:F,a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族(Cds系)和磷化锌 (Zn 3 p 2 )等。 太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。 （1） 硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 （2） 多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 （3） 聚合物多层修饰电极型太阳能电池 以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本底等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。 （4） 纳米晶太阳能电池 纳米TiO2晶体化学能太阳能电池是新近发展的，优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10％以上，制作成本仅为硅太阳电池的1/5～1/10．寿命能达到2O年以上。

非晶硅薄膜电池的转换效能到底比多晶和单晶硅高还是低？

1）是指同为厂家标定100W的产品（非晶硅效率为晶硅三分之一，所以同为100W时电池面积会是晶硅3倍），非晶硅实际应用可以产生100W功率，晶体硅实际只能产生90W。原因：非晶硅拥有较低温度系数（高温工作效率损失少，电池工作时自身温度一般比较高）；非晶硅弱光响应好（阴雨天会多发电，有效发电时间会比晶硅长）。

2）非晶硅目前量产效率约为晶硅三分之一多点，但理论上不同带隙薄膜电池组合一块会产生非常高的光电转换效率，澳大利亚有人用此制成了效率42%的叠层电池，这是晶体硅不能比的，当然，付诸于工业化那是未来的事情了。

因此不矛盾。还有不懂的可以尽管问我。

实际应用中非晶硅薄膜电池1平方米的功率有多大 ？10%的转换效率

如果10%是指稳定后的效率的话，理论上应该是100W，实际应用时得看天气、温度、环境等因素； 但是很遗憾，现在还没有转换效率是10%并且面积能够达到1㎡的非晶硅薄膜电池。

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