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HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种,其特点是在发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。HIT电池是单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池,制造工艺温度低、钝化效果好,具有很好的发展前景。 HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种,其特点是在发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。HIT电池是单结晶硅和非晶型硅的混合太阳电池,制造工艺温度低、钝化效果好,具有很好的发展前景。 hit电池即采用HIT结构的硅太阳能电池,开路电压729mV。所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。 电池(Battery)指盛有电解质溶液和金属电极以产生电流的杯。槽或其他容器或复合容器的部分空间,能将化学能转化成电能的装置。具有正极。负极之分。随着科技的进步,电池泛指能产生电能的小型装置。如太阳能电池。电池的性能参数主要有电动势。容量。比能量和电阻。利用电池作为能量来源,可以得到具有稳定电压,稳定电流,长时间稳定供电,受外界影响很小的电流,并且电池结构简单,携带方便,充放电操作简便易行,不受外界气候和温度的影响,性能稳定可靠,在现代社会生活中的各个方面发挥有很大作用。
首先,从定义上讲:锂电池,是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。hit电池(俗称异质结电池),中文名称晶体硅异质结太阳能电池。该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,它综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力,是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种
采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20·7%,开路电压达到719 mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。
其结构如下:
具体区别如下: HIT中文名为异质结电池,全称为“晶体硅异质结太阳能电池”,是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。 非晶硅太阳能电池的结构最常采用的是pin结构,而不是单晶硅太阳能电池的p-n结构。这是因为:轻掺杂的非晶硅的费米能级移动较小,如果用两边都是轻掺杂的或一边是轻掺杂的另一边用重掺杂的材料,则能带弯曲较小,电池的开路电压受到限制;如果直接用重掺杂的p+和n+材料形成p+-n+结,那么,由于重掺杂非晶硅材料中缺陷态密度较高,少子寿命低,电池的性能会很差。
异质结(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm(HIT))太阳能电池,HIT电池与传统电池最大的区别就是非晶硅与晶体硅构成的异质结结构。通过设计异质结界面的势垒高度获得合适的能带结构,以提高电池的转换效率。
HJT电池又称为异质结电池,它是一种特殊的PN结,由非晶硅和晶体硅材料形成,是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,属于N型电池中的一种。
HIT(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm)电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发,因HIT已被三洋注册为商标,因此又被称为HJT、HDT、或SHJ。
HIT电池的实验室效率达到26%以上,现有主流厂商的平均量产效率达到23%。从效率来看的确比PERC电池要高出一个台阶。HJT电池工艺流程简洁。
目前市场上主流的电池技术PERC需要8-10道工序,而HJT技术只有四道工序,分别为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积,TCO薄膜制备和丝网印刷。其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺,HJT独特的工艺于非晶硅薄膜沉积和TCO膜的沉积。
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