「升压芯片」dcdc升压芯片

今天我们来聊聊升压芯片,以下6个关于升压芯片的观点希望能帮助到您找到想要的新能源资讯。

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常见的升压芯片有哪些？

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输入电压范围：2.5～40V

输出电压可调范围：1.25～40V

输出电流可达：1.5A

工作频率：最高可达100kHz

用熟一种就行了，多了都是一回事。

电池供电 1.5V 用升压芯片升成3.3V电源 最好用什么芯片

可以用LN2351的芯片，电流不大就直接升压，输出大约有200MA。需要大电流时外扩MOS。

需要注意的是，如果用芯片，BL8505三端升压稳压IC，该IC最低工作电压仅1.0V。输出电压范围2.5~5.0V，步进0.1V。采用TO92三脚封装，外形与9013三极管完全一样。

扩展资料：

升压芯片选型：

型号：BT1001

100KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.8V启动，输入电压0.8-7V。输出电压范围：2V~5.6V；固定电压输出。输出电流：300mA。内置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3TO-92。

型号：BT1002

200KHzVFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.9V启动，输入电压0.9-6V。输出电压范围：2V~5.6V；固定电压输出。输出电流：300mA~750mA。内置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3。

型号：BT1003

180KHzPFM开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.8V启动，输入电压0.8-7V。输出电压范围：2V~7V；固定电压输出或可调输出。输出电流：300mA~1000mA。有内置或者外置开关MOS管。封装：SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5SOT-89-5。

5v 12v升压芯片

5V转12V 1A升压芯片：

SX1318是一款宽电压输出，DC-DC转换器。输入电压范围是5V至32V，输出电压范围是5V至42V可调，内部MOSFET输出开关电流可高达2A，400KHz开关频率，内置软启动功能、过压保护、短路保护，采用标准的SOP-8无铅封装。

SX1318广泛应用于开关电源适配器、手持数码产品、通讯设备、MP4/MP3、电子词典、数码相机、汽车电子、玩具、充电器、无线抄表、高压报警器、车载雾化器、美容医疗雾化器等诸多领域。

升压芯片和三极管一样吗，能用三极管代替吗？

所谓升压芯片是指用于直流电升压的集成电路，它里面含有震荡、取样、储能等一整套电路。和三极管不一样！一两只三极管可以制作出简单的升压电路，但效率远不如专用芯片。

6291升压芯片能替代1661吗

可以。

封装（SOT23-6）、CC(恒流)模式的PWM升压IC，适用于锂电池（3～4.2V）输出5V，1A的移动电源应用。AH6901输入电压范围可由最低2.6伏特到最高6伏特，输出电压3.3--20V可调整且内部MOS输出开关电流可高达2A，封装。

为SOT23-6，工作频率为1MHZ，可以搭配3.3uh小型贴片电感，减少成品体积，非常适合于数码便携产品电池供电，3G网络产品，数码相机，LCD液晶屏背光电路，太阳能照明路灯，网络通讯等产品的电压转换。

dc/dc升压芯片xc9119d10a 如何使用得到8V，其中输入是3.3V

dc/dc升压芯片xc9119d10a 得到8V电路如图所示。

反馈电阻选1%，Vo=RFB1/RFB2+1，Vo=8V。

芯片：指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。

精密的芯片其制造过程非常的复杂

首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”

1、 芯片的原料晶圆

晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。

2、晶圆涂膜

晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

3、晶圆光刻显影、蚀刻

该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

4、掺加杂质

将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。

具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。 更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。

5、晶圆测试

经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。

6、封装

将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。

7、测试、包装

经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。

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