「少子寿命测试仪」少子寿命测试仪中的mcd值怎么设定

今天我们来聊聊少子寿命测试仪,以下6个关于少子寿命测试仪的观点希望能帮助到您找到想要的新能源资讯。

本文目录

少子寿命测试仪,所测的"少子"在物理学上是什么定义?

少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 　　半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 　　多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。 　　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。

少子寿命测试仪用的是什么光 对身体有害吗 麻烦说具体点 谢啦

红外线，探头一般是在下面的，而且检测的时候是要求和上外罩的，不会对身体有影响 596495540

单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？

um（微米）是长度单位，是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒）

少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能“跑多远”，一个是指能“活多久”，表述不同而已

少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。

处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命。

一、单晶硅少子寿命测试仪产品介绍：

1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。

2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。

3、 配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。

4、 配置两种波长的红外光源：

a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。

b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。

二、单晶硅少子寿命测试仪测量范围可直接测量：

a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。

b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。

寿命可测范围 0.25μS—10ms

WT-2000少子寿命测试仪测试数据不准怎么调

用厂家送的点检样品测试，看看电压值多少，时间多少。注意微波探头是否有问题。

TM-2000少子寿命测试仪的操作规程

你是说WT-2000吧？瑟米莱伯的机器。来高分，我给你个中文的使用手册。~

阙端麟的主要成就

阙端麟长期从事半导体材料研究工作，在中国首先开展用硅烷法制备纯硅，驻高纯硅烷的研究。负责并领导高纯极高阻硅单晶的研制，成功地研制出极高阻控测器级硅单晶。阙端麟试制成中国第一台温差电发电机；在中国首先用硅烷法成功研制出极高阻探测器级硅单晶；首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶；发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。 研究成果：全分子筛吸附法提纯硅烷、高频1.09μm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪、减压充氮直拉硅单晶技术。 阙端麟发表的重要论文50余篇。获中国发明专利权8项。主要论著1：阙端麟，采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶方法，中国发明专利 ，CN85100295B(已授权)。 2：阙端麟，重掺锑硅单晶的制造方法，中国发明专利，CN86100854B(已授权)。 3：阙端麟，直拉硅单晶的气相掺氮方法，中国发明专利，CN1003607B(已授权)。 4：阙端麟，一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，中国发明专利，CN1003797B (已授权)。 5：阙端麟，控制直拉硅单晶中氮量的方法，中国发明专利，CN1040400A(已授权)。 6：阙端麟，红外光源硅单晶少子寿命测试仪，浙江大学学报，1982，3。 7：阙端麟，高频109μ红外光电导衰减法测试硅单晶非平衡截流子寿命，浙江大 学学报，1985，2。 8：阙端麟，高阻探测器级硅单晶，稀有金属1987，60。 9：阙端麟，高阻硅低温欧姆接触，半导体学报，1988，9(2)。 10：Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989. 11：阙端麟，采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究，浙江大学学报， 1990，24(3)。 12：阙端麟，减压氮保护直拉硅单晶生长，中国科学A辑，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991. 13：阙端麟，含氮CZSi中NN对的退火行为，半导体学报，1991，12(4)。 14：阙端麟，微氮硅单晶中的热受主，半导体学报， 1991，12(8)。 15：阙端麟，中国大百科全书·电子学与计算机卷“硅材料”篇。 16：Oue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024. 17：Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78. 18：Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180. 19：Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933. 20：Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487. 阙端麟首开“半导体材料”等10余门新课，作为浙江大学半导体材料学科的奠基人，他领导该学科成为国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点之一和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年被评为国家重点学科；1987年获批建成高纯硅及硅烷国家重点实验室。 在阙端麟的身教言传训练下，他的学生都有较强的科研实验能力。许多学生已成长为各单位业务骨干和领导。 如杨德仁教授。 他先后为本科生、研究生开设了“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“真空技术”、“半导体物理”、“近代物理基础”等10多门课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。

今天的内容先分享到这里了，读完本文《「少子寿命测试仪」少子寿命测试仪中的mcd值怎么设定》之后，是否是您想找的答案呢？想要了解更多新能源资讯，敬请关注本站,您的关注是给小编最大的鼓励。